发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器

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	发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器
其他题名	发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器
	阿尔弗雷德·莱尔; 松克·托茨; 尤伟·斯特劳斯; 马丁鲁道夫·贝林杰; 斯蒂芬妮·布鲁宁戈夫; 迪米特里·蒂尼; 多米尼克·艾泽特; 克里斯托夫·艾克勒
	2014-03-12
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2014-03-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
其他摘要	在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
主权项	一种发光装置（1），具有： -至少一个半导体激光器（2），其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射（P），其中包括边界值， -导热的第一支承体（4），以及 -至少两个不同的转换装置（3），其设置在半导体激光器（2）之后并且构建为将初级辐射（P）的至少一部分转换为具有与初级辐射（P）不同的更大波长的次级辐射（S）并且安装在第一支承体（4）上，其中 -由发光装置（1）发射的辐射（R）具有最高为50μm的光学相干长度， -转换装置（3）的被初级辐射（P）照射的发光斑点（7）各具有最高0.5mm2的面积， -转换装置（3）各包括的色心或者发光点的浓度为至少107/μm3，所述色心或者发光点统计分布在转换装置（3）中， -由各个色心或者发光点发射的次级辐射（S）相对于由相邻的色心或者发光点发射的次级辐射（S）并不具有固定的或限定的相位关系，使得次级辐射（S）是非相干的辐射， -第一支承体(4)能够机械移动地支承并且具有设置有彼此不同的转换装置（3）的至少两个区域（41）,使得通过第一支承体（4）的移动能够确定次级辐射（S）的色度坐标， -第一支承体（4）对于次级辐射（S）的至少一部分是透明的，附加地或者代替地，对于初级辐射（P）是不能穿透的， -至少一个孔径光阑（12）设置在转换装置（3）之后，通过孔径光阑（12）防止散射辐射离开发光装置（1），使得由发光装置（1）发射的辐射在限定的空间区域中被发射， -转换装置（3）各安置在第一支承体（4）的各具有如下直径（D）的区域（41）中：该直径最高对应于发光斑点（7）的平均直径（d）的三倍，以及 -偏转单元（13）或成像单元（14）处于次级辐射（S）的射束路径（9）中或射束路径（9）上。
申请日期	2009-10-19
专利号	CN102246527B
专利状态	授权
申请号	CN200980150254.9
公开（公告）号	CN102246527B
IPC 分类号	H04N9/31
专利代理人	许伟群 \| 郭放
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45074
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	阿尔弗雷德·莱尔,松克·托茨,尤伟·斯特劳斯,等. 发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器. CN102246527B[P]. 2014-03-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102246527B.PDF（1599KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文