半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构

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	半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构
其他题名	半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构
	李玮; 张文娟; 张磊; 李晓兵; 李军; 田晋军
	2014-12-17
专利权人	河北中瓷电子科技股份有限公司
公开日期	2014-12-17
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，涉及半导体技术领域。包括陶瓷外壳、金属引线、金属环、金属光耦合接口和封口盖板，所述陶瓷外壳的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面，陶瓷外壳的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面，引线焊接平面上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线。本实用新型减小了半导体激光器的外壳及整个封装的体积，能将引线焊接区域设计的尺寸更大，增加引线的焊接面，使结构更牢固，提高了引线强度。
其他摘要	本实用新型公开了一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，涉及半导体技术领域。包括陶瓷外壳、金属引线、金属环、金属光耦合接口和封口盖板，所述陶瓷外壳的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面，陶瓷外壳的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面，引线焊接平面上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线。本实用新型减小了半导体激光器的外壳及整个封装的体积，能将引线焊接区域设计的尺寸更大，增加引线的焊接面，使结构更牢固，提高了引线强度。
主权项	一种半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构，其特征在于包括陶瓷外壳（4）、金属引线（7）、金属环（2）、金属光耦合接口（6）和封口盖板，所述陶瓷外壳（4）的腔体内设有台阶，台阶面为键合台面（3），陶瓷外壳（4）的腔体外侧无台阶，在外侧面设有引线焊接平面（5），引线焊接平面（5）上设有金属化区域，所述金属化区域上焊接垂直向下的扁平状金属引线（7）。
申请日期	2014-09-02
专利号	CN204030267U
专利状态	授权
申请号	CN201420501709
公开（公告）号	CN204030267U
IPC 分类号	H01S5/022
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45019
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河北中瓷电子科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李玮,张文娟,张磊,等. 半导体激光器陶瓷外壳引线垂直焊接结构. CN204030267U[P]. 2014-12-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204030267U.PDF（273KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文