复合外腔半导体激光器

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	复合外腔半导体激光器
其他题名	复合外腔半导体激光器
	霍玉晶; 许知止; 周炳琨
	1988-10-05
专利权人	清华大学
公开日期	1988-10-05
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域，本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔，其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜，全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的，粘结为一个整体并密封在壳内，充有保护气体。本实用新型线宽≤1MHz，在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制，单模运转稳定时间＞24小时，同一单模运转时注入电流变化范围达15mA(0.5Ith)。边模抑制比＞25db。
其他摘要	一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域，本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔，其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜，全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的，粘结为一个整体并密封在壳内，充有保护气体。本实用新型线宽≤1MHz，在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制，单模运转稳定时间＞24小时，同一单模运转时注入电流变化范围达15mA(0.5Ith)。边模抑制比＞25db。
主权项	一种复合外腔半导体激发器，它是由激光二极管、自聚焦透镜、反射镜、调整机构和致冷装置组成，由位于耦合腔一侧端面镀有适当增透膜的激光二极管的两个端面构成本征腔，由自聚焦透镜和部分反射镜构成光反馈和光输出系统，其特征在于激光二极管未镀增透膜的一端和两面介质膜部分反射镜分别组成两个耦合外腔，全部结构粘为一个整体，密封在外壳内，壳内充有保护气体。
申请日期	1987-12-08
专利号	CN87215998U
专利状态	失效
申请号	CN87215998
公开（公告）号	CN87215998U
IPC 分类号	H01S3/08 \| H01S3/19
专利代理人	黄学信 \| 胡兰芝
代理机构	清华大学专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44994
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	霍玉晶,许知止,周炳琨. 复合外腔半导体激光器. CN87215998U[P]. 1988-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN87215998U.PDF（461KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文