ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法

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	ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法
其他题名	ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法
	方国家; 龙浩; 黄晖辉; 李颂战; 莫小明; 王皓宁
	2011-10-05
专利权人	常熟紫金知识产权服务有限公司
公开日期	2011-10-05
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极，第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层；然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层；最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性，发光峰值波长在373nm左右，单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。
其他摘要	本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极，第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层；然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层；最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性，发光峰值波长在373nm左右，单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。
主权项	一种ZnO/ZnMgO多量子阱电致紫外自由激射激光二极管，其特征在于：衬底为生长在蓝宝石(1)上的n型GaN(2)；在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)、p型NiO薄膜层(4)和第一电极(5)；还有第二电极(6)与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)并列沉积在n型GaN层(2)上，其中 ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层(3)中，0.1≤x≤0.3。
申请日期	2010-06-22
专利号	CN101888061B
专利状态	授权
申请号	CN201010214026.8
公开（公告）号	CN101888061B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/30 \| H01S5/042
专利代理人	张火春
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44975
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	常熟紫金知识产权服务有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	方国家,龙浩,黄晖辉,等. ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法. CN101888061B[P]. 2011-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101888061B.PDF（453KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文