Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
电照相感光元件、电照相设备和处理盒 | |
其他题名 | 电照相感光元件、电照相设备和处理盒 |
田中正人 | |
2008-04-09 | |
专利权人 | 佳能株式会社 |
公开日期 | 2008-04-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 对半导体激光器发射的长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件是通过用一种晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羟基镓酞菁作为电荷生成材料来形成的。这种羟基镓酞菁优选地是通过下面方法制备的,包括处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁,将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁,和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。 |
其他摘要 | 对半导体激光器发射的长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件是通过用一种晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羟基镓酞菁作为电荷生成材料来形成的。这种羟基镓酞菁优选地是通过下面方法制备的,包括处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁,将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁,和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。 |
主权项 | 一种电照相感光元件,包括:电导支撑体,和形成在该电导支撑体上至少一个感光层,所述的感光层含一种羟基镓酞菁,其晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中强峰值的布拉格角在7.3、9.8、12.3、16.1、18.4、22.0、23.9、24.9、26.1和28.1度(2θ±0.2度),最强峰在28.1度。 |
申请日期 | 1997-04-25 |
专利号 | CN100380236C |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN01121638.7 |
公开(公告)号 | CN100380236C |
IPC 分类号 | G03G5/09 | C09B67/50 | C07F5/00 | C09B67/06 | G03G5/06 |
专利代理人 | 任宗华 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44961 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 佳能株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中正人. 电照相感光元件、电照相设备和处理盒. CN100380236C[P]. 2008-04-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN100380236C.PDF(596KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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