实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法

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	实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
其他题名	实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
	王晓燕; 闫立华; 赵润; 常会增; 徐会武; 陈宏泰; 安振峰
	2013-07-03
专利权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
公开日期	2013-07-03
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位于所述管座上表面的半导体激光器芯组、两条自半导体激光器芯组两端引出的电极引线和覆在所述半导体激光器芯组上的石英散射片。本发明的优点是充分利用半导体激光器两个方向光场不对称特性，在激光器慢轴和快轴方向分别采用不同数量的激光器阵列进行拼接，配合特定的曲面支架和特定角度的单元阵列，实现快轴和慢轴方向发散角度相当、辐射均匀的大角度、高功率光源照射。
其他摘要	本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位于所述管座上表面的半导体激光器芯组、两条自半导体激光器芯组两端引出的电极引线和覆在所述半导体激光器芯组上的石英散射片。本发明的优点是充分利用半导体激光器两个方向光场不对称特性，在激光器慢轴和快轴方向分别采用不同数量的激光器阵列进行拼接，配合特定的曲面支架和特定角度的单元阵列，实现快轴和慢轴方向发散角度相当、辐射均匀的大角度、高功率光源照射。
主权项	一种实现大角度均匀照射的半导体激光器，其特征在于包括上表面为弧面的底座（1）和至少一组在快轴方向上排列的激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组由至少一个在慢轴方向上排列的激光器阵列单元（2）组成；所述激光器阵列单元组的数目为激光器在快轴方向上照射要求角度除以巴条（21）的慢轴半高全宽角度；激光器阵列单元组中激光器阵列单元（2）数目：激光器在慢轴方向上照射要求角度除以巴条（21）的慢轴半高全宽角度；所述激光器阵列单元包括三角楔形管座（24）、位于所述管座上斜面的半导体激光器芯组、两条自半导体激光器芯组两端引出的电极引线（25）和覆在所述半导体激光器芯组上的石英散射片（26）；所述管座上斜面与底面所成夹角为α；所述激光器阵列单元通过电极串联；所述三角楔形管座的夹角α为所述巴条（21）的快轴半高全宽角度的余角；所述半导体激光器芯组由至少两条横向排列的巴条（21）和至少一块热沉（22）组成；所述热沉（22）位于相邻巴条（21）之间；所述半导体激光器芯组的宽度由所述巴条（21）的长度决定；所述半导体激光器芯组中包括的巴条数目为激光器要求的总输出功率除以每个巴条的输出功率；所述底座的弧度由激光器慢轴方向上相邻激光器阵列单元（2）发光法线所呈夹角的角度决定，所述相邻激光器阵列单元（2）发光法线所呈夹角的角度在数值上等于巴条（21）的慢轴半高全宽角度；所述激光器阵列单元（2）固定在所述底座（1）上。
申请日期	2011-06-20
专利号	CN102263375B
专利状态	授权
申请号	CN201110165946.X
公开（公告）号	CN102263375B
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/024
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44766
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓燕,闫立华,赵润,等. 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法. CN102263375B[P]. 2013-07-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102263375B.PDF（522KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文