一种半导体激光器泵浦结构

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	一种半导体激光器泵浦结构
其他题名	一种半导体激光器泵浦结构
	吴砺; 杨建阳; 陈卫民; 赵振宇; 汪婷婷; 凌吉武
	2010-08-04
专利权人	福州高意通讯有限公司
公开日期	2010-08-04
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及低掺杂浓度的激光增益介质的半导体激光器泵浦结构。本实用新型的半导体激光器泵浦结构，包括半导体激光器发出泵浦光，经过光学准直器件后耦合至激光增益介质谐振腔中。其中，所述的光学准直器件是微型柱透镜，半导体激光器的发光点设置于所述的微型柱透镜的焦点上，半导体激光器的快轴的方向垂直于微型柱透镜，激光增益介质谐振腔设置于微型柱透镜准直耦合的平行光出射处，该平行光束保持与半导体激光器快轴一样的近高斯分布模式。本实用新型可以用于泵浦低掺杂浓度的增益介质的微片式激光器，使泵浦光被有效吸收，同时增益介质内热量分布均匀化，利于散热，实现基频光或倍频光的微片激光器高功率输出。
其他摘要	本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及低掺杂浓度的激光增益介质的半导体激光器泵浦结构。本实用新型的半导体激光器泵浦结构，包括半导体激光器发出泵浦光，经过光学准直器件后耦合至激光增益介质谐振腔中。其中，所述的光学准直器件是微型柱透镜，半导体激光器的发光点设置于所述的微型柱透镜的焦点上，半导体激光器的快轴的方向垂直于微型柱透镜，激光增益介质谐振腔设置于微型柱透镜准直耦合的平行光出射处，该平行光束保持与半导体激光器快轴一样的近高斯分布模式。本实用新型可以用于泵浦低掺杂浓度的增益介质的微片式激光器，使泵浦光被有效吸收，同时增益介质内热量分布均匀化，利于散热，实现基频光或倍频光的微片激光器高功率输出。
主权项	一种半导体激光器泵浦结构，包括半导体激光器发出泵浦光，经过光学准直器件后耦合至激光增益介质谐振腔中，其特征在于：所述的光学准直器件是微型柱透镜(202)，半导体激光器(201)的发光点设置于所述的微型柱透镜(202)的焦点上，半导体激光器(201)的快轴的方向垂直于微型柱透镜(202)，激光增益介质谐振腔(203)设置于微型柱透镜(202)准直耦合的平行光出射处。
申请日期	2009-10-28
专利号	CN201541048U
专利状态	失效
申请号	CN200920238546.5
公开（公告）号	CN201541048U
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S3/16 \| H01S3/06
专利代理人	方惠春 \| 黄国强
代理机构	厦门市诚得知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44753
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福州高意通讯有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	吴砺,杨建阳,陈卫民,等. 一种半导体激光器泵浦结构. CN201541048U[P]. 2010-08-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201541048U.PDF（210KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文