半导体激光器件及其设计方法

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	半导体激光器件及其设计方法
其他题名	半导体激光器件及其设计方法
	林伸彦; 井手大辅; 茨木晃
	2002-12-18
专利权人	三洋电机株式会社
公开日期	2002-12-18
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。
其他摘要	一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。
主权项	一种半导体激光器件，其特征在于，依次包括：第一导电型敷层；有源层；第二导电型敷层；以及电流阻挡层，所述电流阻挡层是对激光透明的层，其预定宽度的条形开口，用于限制并形成该电流路径，其带隙大于所述第二导电型敷层的带隙，其折射率小于所述第二导电型敷层的折射率，且所述电流阻挡层还至少包括一层第一导电型层；所述第二导电型敷层具有一平坦部分和一在所述平坦部分上面的条状脊形部分，所述脊形部分被定位于所述电流阻挡层的所述开口内，如此形成所述电流阻挡层以覆盖住所述平坦部分的上表面和所述脊形部分的侧表面，以及所述有源层中对应于所述开口的区域内的有效折射率与所述有源层中对应于所述开口两侧的区域内的有效折射率之差值Δn以及所述开口宽度W[μm]满足下列关系： Δn≥2×10-3， W≤-6×10-3×Δn+9.3，以及 W≥3.0
申请日期	1997-03-28
专利号	CN1096729C
专利状态	失效
申请号	CN97109946.4
公开（公告）号	CN1096729C
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S3/18 \| H01S5/30
专利代理人	徐泰
代理机构	上海专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44731
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	林伸彦,井手大辅,茨木晃. 半导体激光器件及其设计方法. CN1096729C[P]. 2002-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1096729C.PDF（1243KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文