OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
一种腔内倍频微片激光器
其他题名一种腔内倍频微片激光器
黄友义; 吴砺; 丁广雷; 张哨峰
2008-09-10
专利权人福州高意通讯有限公司
公开日期2008-09-10
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其中平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端,采用以上结构,后向倍频光被平片上的倍频光高反膜反射,或被滤光片吸收,不会按原光路返回倍频晶体,射在激光二极管上,影响激光二极管的寿命,同时消除了因温度变化引起的后向倍频光与基频光波长的相位变化,消除干涉效应,微片出光的功率不随温度变化而变化,因此能适应宽温度输出。
其他摘要本实用新型公开了一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其中平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端,采用以上结构,后向倍频光被平片上的倍频光高反膜反射,或被滤光片吸收,不会按原光路返回倍频晶体,射在激光二极管上,影响激光二极管的寿命,同时消除了因温度变化引起的后向倍频光与基频光波长的相位变化,消除干涉效应,微片出光的功率不随温度变化而变化,因此能适应宽温度输出。
主权项一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其特征在于:平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端。
申请日期2007-09-14
专利号CN201113204Y
专利状态失效
申请号CN200720008220.4
公开(公告)号CN201113204Y
IPC 分类号H01S3/00 | H01S3/06 | H01S3/109 | H01S3/02
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44296
专题半导体激光器专利数据库
作者单位福州高意通讯有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
黄友义,吴砺,丁广雷,等. 一种腔内倍频微片激光器. CN201113204Y[P]. 2008-09-10.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN201113204Y.PDF(261KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[黄友义]的文章
[吴砺]的文章
[丁广雷]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[黄友义]的文章
[吴砺]的文章
[丁广雷]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[黄友义]的文章
[吴砺]的文章
[丁广雷]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。