Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种腔内倍频微片激光器 | |
其他题名 | 一种腔内倍频微片激光器 |
黄友义; 吴砺; 丁广雷; 张哨峰 | |
2008-09-10 | |
专利权人 | 福州高意通讯有限公司 |
公开日期 | 2008-09-10 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型公开了一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其中平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端,采用以上结构,后向倍频光被平片上的倍频光高反膜反射,或被滤光片吸收,不会按原光路返回倍频晶体,射在激光二极管上,影响激光二极管的寿命,同时消除了因温度变化引起的后向倍频光与基频光波长的相位变化,消除干涉效应,微片出光的功率不随温度变化而变化,因此能适应宽温度输出。 |
其他摘要 | 本实用新型公开了一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其中平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端,采用以上结构,后向倍频光被平片上的倍频光高反膜反射,或被滤光片吸收,不会按原光路返回倍频晶体,射在激光二极管上,影响激光二极管的寿命,同时消除了因温度变化引起的后向倍频光与基频光波长的相位变化,消除干涉效应,微片出光的功率不随温度变化而变化,因此能适应宽温度输出。 |
主权项 | 一种腔内倍频微片激光器,包括激光二极管、耦合透镜、平片、激光增益介质以及倍频晶体,其特征在于:平片设在激光增益介质和倍频晶体的光入射端或设在倍频晶体的光入射端。 |
申请日期 | 2007-09-14 |
专利号 | CN201113204Y |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200720008220.4 |
公开(公告)号 | CN201113204Y |
IPC 分类号 | H01S3/00 | H01S3/06 | H01S3/109 | H01S3/02 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44296 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 福州高意通讯有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄友义,吴砺,丁广雷,等. 一种腔内倍频微片激光器. CN201113204Y[P]. 2008-09-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN201113204Y.PDF(261KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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