TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez,Au0.1光存储发光材料及其制备方法

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	TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez,Au0.1光存储发光材料及其制备方法
其他题名	TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez,Au0.1光存储发光材料及其制备方法
	张晓松; 李岚; 李江勇; 张艳芳; 董冬青; 奚群
专利权人	天津理工大学
公开日期	2008-05-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez，Au0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。
其他摘要	本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez，Au0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。
申请日期	2007-12-17
专利号	CN101186823A
专利状态	失效
申请号	CN200710151096.1
公开（公告）号	CN101186823A
IPC 分类号	C09K11/85
专利代理人	廖晓荣
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44239
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张晓松,李岚,李江勇,等. TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez,Au0.1光存储发光材料及其制备方法. CN101186823A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101186823A.PDF（293KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文