一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法
其他题名	一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法
	周志强; 许海明; 唐琦
专利权人	武汉华工正源光子技术有限公司
公开日期	2011-02-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法。是在N型磷化铟衬底上外延InP缓冲层，下分别限制层，多量子阱层，上分别限制层，p型磷化铟薄层、化学腐蚀停止层和电极层，刻蚀直条状和侧立的“凸”字形两条SiO2沟，采用两步化学腐蚀法将脊条腐蚀为倒台形状，减小了激光器贴片工艺中脊条所受作用力，从而避免激光器的损坏。采用欠曝光光刻与干法刻蚀相结合工艺刻蚀激光器脊表面的光敏性苯并环丁烯树脂等，制作P面电极，减薄衬底，做N面电极，最后将外延片解成Bar条在端面镀光学膜。用本发明生产的激光器具有小的寄生电容、大的抗脊条应力容限和宽的调制带宽，适于高速光通信系统应用。
其他摘要	本发明涉及一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法。是在N型磷化铟衬底上外延InP缓冲层，下分别限制层，多量子阱层，上分别限制层，p型磷化铟薄层、化学腐蚀停止层和电极层，刻蚀直条状和侧立的“凸”字形两条SiO2沟，采用两步化学腐蚀法将脊条腐蚀为倒台形状，减小了激光器贴片工艺中脊条所受作用力，从而避免激光器的损坏。采用欠曝光光刻与干法刻蚀相结合工艺刻蚀激光器脊表面的光敏性苯并环丁烯树脂等，制作P面电极，减薄衬底，做N面电极，最后将外延片解成Bar条在端面镀光学膜。用本发明生产的激光器具有小的寄生电容、大的抗脊条应力容限和宽的调制带宽，适于高速光通信系统应用。
申请日期	2010-11-24
专利号	CN101969179A
专利状态	授权
申请号	CN201010234078.1
公开（公告）号	CN101969179A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/323
专利代理人	朱盛华
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44214
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉华工正源光子技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周志强,许海明,唐琦. 一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法. CN101969179A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101969179A.PDF（472KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文