Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光设备 | |
其他题名 | 半导体激光设备 |
吉田雄太; 狩野祥男; 横山隆浩; 中岛真; 高濑英治 | |
专利权人 | 索尼公司 |
公开日期 | 2011-01-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明设置一种半导体激光设备,其包括:以并行的带状布置的多个发光部;分别沿着发光部的顶面布置的多个第一电极;分别覆盖所述多个第一电极的整个表面并包括对应于所述第一电极的接触孔的绝缘膜;对应于所述第一电极布置在不同于所述多个发光部的位置的多个第二电极;分别布置在所述绝缘膜上,并通过所述接触孔电连接所述第二电极和对应的所述第一电极的多个布线层;分别在所述绝缘膜中为发光部布置以暴露第一电极的多个窗口区,其中至少两个窗口区具有互不相同的面积。本发明能在每个发光部中获取预定振荡波长并同时克服光束的波长拉长,并能使所有光束的振荡波长一致化。 |
其他摘要 | 本发明设置一种半导体激光设备,其包括:以并行的带状布置的多个发光部;分别沿着发光部的顶面布置的多个第一电极;分别覆盖所述多个第一电极的整个表面并包括对应于所述第一电极的接触孔的绝缘膜;对应于所述第一电极布置在不同于所述多个发光部的位置的多个第二电极;分别布置在所述绝缘膜上,并通过所述接触孔电连接所述第二电极和对应的所述第一电极的多个布线层;分别在所述绝缘膜中为发光部布置以暴露第一电极的多个窗口区,其中至少两个窗口区具有互不相同的面积。本发明能在每个发光部中获取预定振荡波长并同时克服光束的波长拉长,并能使所有光束的振荡波长一致化。 |
申请日期 | 2010-06-25 |
专利号 | CN101944706A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201010209739 |
公开(公告)号 | CN101944706A |
IPC 分类号 | H01S5/16 | H01S5/22 |
专利代理人 | 褚海英 | 武玉琴 |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44151 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 索尼公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田雄太,狩野祥男,横山隆浩,等. 半导体激光设备. CN101944706A. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN101944706A.PDF(946KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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