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一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器
其他题名一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器
姜培培; 沈永行; 许洋
专利权人许洋
公开日期2014-11-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器,它由半导体激光泵源、耦合光学系统、激光输入镜、掺镱的钇铝石榴石(Yb:YAG)激光晶体、调Q开关、激光输出镜、三倍频晶体、二倍频晶体和端面激光全反镜组成。半导体激光泵源、耦合光学系统、激光输入镜、掺镱的钇铝石榴石(Yb:YAG)激光晶体、调Q开关、激光输出镜、三倍频晶体、二倍频晶体和端面激光全反镜在空间上顺次排列,激光输出镜与系统通光光轴成一定角度放置。通过脉冲驱动波长为940nm的半导体激光器,激光器将发出波长343nm的紫外脉冲激光。本发明主要用以解决质谱仪所使用的气体紫外脉冲激光器光束质量差、脉冲稳定性低、激光器工作寿命短、仪器维护成本高的问题。
其他摘要本发明公开了一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器,它由半导体激光泵源、耦合光学系统、激光输入镜、掺镱的钇铝石榴石(Yb:YAG)激光晶体、调Q开关、激光输出镜、三倍频晶体、二倍频晶体和端面激光全反镜组成。半导体激光泵源、耦合光学系统、激光输入镜、掺镱的钇铝石榴石(Yb:YAG)激光晶体、调Q开关、激光输出镜、三倍频晶体、二倍频晶体和端面激光全反镜在空间上顺次排列,激光输出镜与系统通光光轴成一定角度放置。通过脉冲驱动波长为940nm的半导体激光器,激光器将发出波长343nm的紫外脉冲激光。本发明主要用以解决质谱仪所使用的气体紫外脉冲激光器光束质量差、脉冲稳定性低、激光器工作寿命短、仪器维护成本高的问题。
申请日期2013-05-07
专利号CN104143759A
专利状态失效
申请号CN201310162535.4
公开(公告)号CN104143759A
IPC 分类号H01S3/16
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44141
专题半导体激光器专利数据库
作者单位许洋
推荐引用方式
GB/T 7714
姜培培,沈永行,许洋. 一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器. CN104143759A.
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