光信号処理装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	光信号処理装置
其他题名	光信号処理装置
	硴塚孝明; 松尾慎治; 瀬川徹; 柴田泰夫
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	2010-05-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】化合物半導体を利用した光変調素子を含む変調器では、適切な結晶成長を確保するため、屈折率変化量が大きい方向、すなわち屈折率変調効率が高い方向にレーザおよび変調素子のメサストライプを形成し、高効率な屈折率変調を実現することができない課題があった。より低バイアス電圧で変調素子の制御駆動が可能であって、光損失変動が小さく、大きな屈折率制御量を得ることができる構造の実現が望まれていた。【解決手段】電圧制御を用いて屈折率変調を行う半導体光制御装置において、pクラッド、nクラッド層に挟まれた単層または複数層からなる屈折率制御層の少なくとも一部がドーピング層を持っている。層構造は、バルク層、単層または多重量子井戸層とすることができる。素子ストライプの結晶方位は[110]に準ずる方向または[1-10]に準ずる方向とする。【選択図】図4
其他摘要	要解决的问题：为了解决这样的问题，即在包括使用化合物半导体的光学调制元件的调制器中，激光器和调制元件的台面条带在给出大的折射率变化量的方向上形成，也就是说，在提供高折射率调制效率的方向上，以确保适当的晶体生长，这导致无法实现高效折射率调制，从而实现其中调制元件可由控制驱动的结构。通过光损耗的微小变化，可以获得低偏压和大折射率控制量。 ŽSOLUTION：在通过电压控制进行折射率调制的半导体光学控制装置中，包括插入在p-包覆层和n-包覆层之间的单层或多层的折射率控制层至少部分地包括掺杂层。层结构可以是体层，单层或多量子阱层。元件条纹的晶体取向被控制在[110]或[1-10]的方向上。 Ž
申请日期	2008-11-05
专利号	JP2010113084A
专利状态	授权
申请号	JP2008284655
公开（公告）号	JP2010113084A
IPC 分类号	H01S5/125 \| G02F1/017 \| H01S5/00 \| G02F1/01
专利代理人	谷義一 \| 阿部和夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43896
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	硴塚孝明,松尾慎治,瀬川徹,等. 光信号処理装置. JP2010113084A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010113084A.PDF（359KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文