Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム |
| 稲葉 雄一; 鬼頭 雅弘; 石野 正人 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1999-08-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 劈開プロセスを省略した簡易な製造工程によって製造され得る半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板101の表面の選択された領域上に半導体多層構造を備える。半導体多層構造の共振器端面として機能する面は、選択エピタキシャル成長によって形成された結晶成長面である。選択成長は半導体基板の表面にマスク102を形成した後に行い、共振器端面は劈開プロセスを経ずに選択制長によって自己整合的に形成される。マスク102の開口部の形状が共振器の構造を規定するのに利用される。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供半导体激光器件，其通过简单的制造工艺制造，其中省略了解理工艺。解决方案：在半导体衬底101的表面上的选定区域提供半导体多层结构。用作半导体多层结构的谐振器端面的面是通过选择外延生长形成的晶体生长面。在掩模102形成在半导体衬底的表面上之后执行选择性生长，并且通过选择性生长通过自对准形成谐振器端面而不经过解理工艺。掩模102的开口部分的形式用于调节谐振器的结构。 |
| 申请日期 | 1998-02-20 |
| 专利号 | JP1999238938A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998038546 |
| 公开（公告）号 | JP1999238938A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 前田 弘 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43883 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲葉 雄一,鬼頭 雅弘,石野 正人. 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光通信システム. JP1999238938A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999238938A.PDF（98KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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