半導体レーザ内部共振型SHG光源

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	半導体レーザ内部共振型SHG光源
其他题名	半導体レーザ内部共振型SHG光源
	川本和民; 伊藤顕知; 楓弘志
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1995-12-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】赤外の半導体レーザ光を可視光に変換する擬位相整合型第二高調波素子において、第二高調波変換効率を高め発振波長を安定化するとともに、第二高調波の相対雑音強度を低減する。【構成】非線形光学基板1上に光導波路2を形成し、光導波路2内に分極反転格子と分布ブラッグ反射器となる回折格子を隣接して設置する。半導体レーザ5の分極反転格子に近接する側の端部は低反射率、反対側の端部は高反射率とし、高反射率端と分布ブラッグ反射器でレーザ発振の共振器とする。共振器の内部に波長変換素子である分極反転格子を配置し、大きな基本波14の出力のもとで第二高調波15を高効率に発生させる。
其他摘要	目的：通过一种方法获得高效率，低噪声和稳定的输出短波长相干光源，其中基波是纵向单模波，其中其它模式波被抑制-25dB或更小。组成：光学基板1的光波导2中的偏振反转晶格3产生第二波束波。对于基波和二次谐波的非反射或全反射的光学涂层被施加到端面半导体激光器5由分布布拉格反射器（DBR）组成，其具有高和低端面反射率并且是波选择性的。 DBR 4的波选择性由公式表示的复反射率R表示（其中K表示耦合因子，α1表示光波导的光损耗因子，LB表示DBR的长度，δ表示与之相差的差异）布拉格波数）。因此，当δ= 0时满足布拉格条件的反射率为87.5％，如果谐振器的纵模间距不小于0.01nm，则标准反射率差不大于-0.05，基波振荡为单个模式和其他模式波可以被抑制到低于所需的噪声水平。
申请日期	1994-06-09
专利号	JP1995335963A
专利状态	失效
申请号	JP1994127273
公开（公告）号	JP1995335963A
IPC 分类号	G02F1/37 \| H01S5/06 \| H01S3/109 \| H01S5/00 \| H01S3/103 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43833
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	川本和民,伊藤顕知,楓弘志. 半導体レーザ内部共振型SHG光源. JP1995335963A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995335963A.PDF（109KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文