Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication.

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	Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication.
其他题名	Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication.
	SHOJI, HAJIME; OTSUBO, KOJI; IKEDA, TATSURCH; MATSUDA, MANABU; ISHIKAWA, HIROSHI; HAJIME, SHOJI; KOJI, OTSUBO; TATSURCH, IKEDA; MANABU, MATSUDA; HIROSHI, ISHIKAWA
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1994-03-04
授权国家	法国
专利类型	发明申请
摘要	Une couche de resserrement de courant (10) qui entoure une région de cavité verticale est formée dans une couche de gainage (13A) d'un laser émetteur en surface. La largeur de bande interdite du matériau qui forme cette couche de resserrement de courant est plus importante que la largeur de bande interdite d'un matériau qui forme la couche de gainage. En outre, la couche de resserrement de courant (10) et la couche de gainage (13A) sont constituées par des semiconducteurs et leurs types de conductivité sont différents l'un de l'autre. En outre, la surface supérieure de la couche de gainage qui recouvre la couche de resserrement de courant comporte une marche dans la périphérie de la région de cavité verticale.
其他摘要	围绕垂直腔区域的电流限制层（10）形成在表面发射激光器的包层（13A）中。形成该电流限制层的材料的带隙宽度大于形成包层的材料的带隙宽度。另外，电流限制层（10）和包层（13A）由半导体构成，并且它们的导电类型彼此不同。此外，覆盖电流钳位层的包层的上表面在垂直腔区的周边具有台阶。
申请日期	1993-08-11
专利号	FR2695261A1
专利状态	失效
申请号	FR1993009860
公开（公告）号	FR2695261A1
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/183 \| H01S5/34 \| H01S3/085
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43728
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SHOJI, HAJIME,OTSUBO, KOJI,IKEDA, TATSURCH,et al. Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication.. FR2695261A1.