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用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构
其他题名用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构
K·萨亚赫; P·R·帕特森; B·黄
专利权人通用汽车环球科技运作有限责任公司
公开日期2019-01-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种制造LIDAR芯片并且将抗反射(AR)涂层应用于LIDAR芯片的耦合结构的方法。耦合结构形成在晶片上。在与耦合结构相邻的晶片中形成凹坑。AR材料沉积在晶片和耦合结构的顶部上。蚀刻AR材料以在耦合结构上形成AR涂层。
其他摘要一种制造LIDAR芯片并且将抗反射(AR)涂层应用于LIDAR芯片的耦合结构的方法。耦合结构形成在晶片上。在与耦合结构相邻的晶片中形成凹坑。AR材料沉积在晶片和耦合结构的顶部上。蚀刻AR材料以在耦合结构上形成AR涂层。
申请日期2018-07-12
专利号CN109270601A
专利状态申请中
申请号CN201810765959.2
公开(公告)号CN109270601A
IPC 分类号G02B1/11
专利代理人任霄 | 王丽辉
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43388
专题半导体激光器专利数据库
作者单位通用汽车环球科技运作有限责任公司
推荐引用方式
GB/T 7714
K·萨亚赫,P·R·帕特森,B·黄. 用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构. CN109270601A.
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