一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法

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	一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法
其他题名	一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法
	范杰; 董家宁; 李卫岩; 石琳琳; 金亮; 李岩; 张贺; 徐英添; 王海珠; 赵鑫; 李洋; 邹永刚; 马晓辉
专利权人	长春理工大学
公开日期	2019-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于光学镀膜技术领域，具体涉及一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法，包括以下步骤：1)清洁基底；2)将基底放入电子束真空镀膜机中，控制真空度和温度；3)使用离子源对基底表面清洗；4)使用电子束蒸发方式镀制钝化膜；5)提高基底温度至200℃～300℃，保温30min～120min；6)降低基底温度至100℃左右；7)在钝化膜上用高折射率膜料和低折射率膜料进行交替镀膜，直至最后一层膜镀制完成；8)利用电子束真空镀膜机内真腔室冷却至室温后，拿出基底，镀制完成。该方法具有针对性强、简单易行的特点，该方法极大提高含钝化层的减反膜的LIDT，从而提高半导体激光器的稳定性，最终实现半导体激光器输出功率进一步提升。
其他摘要	本发明属于光学镀膜技术领域，具体涉及一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法，包括以下步骤：1)清洁基底；2)将基底放入电子束真空镀膜机中，控制真空度和温度；3)使用离子源对基底表面清洗；4)使用电子束蒸发方式镀制钝化膜；5)提高基底温度至200℃～300℃，保温30min～120min；6)降低基底温度至100℃左右；7)在钝化膜上用高折射率膜料和低折射率膜料进行交替镀膜，直至最后一层膜镀制完成；8)利用电子束真空镀膜机内真腔室冷却至室温后，拿出基底，镀制完成。该方法具有针对性强、简单易行的特点，该方法极大提高含钝化层的减反膜的LIDT，从而提高半导体激光器的稳定性，最终实现半导体激光器输出功率进一步提升。
申请日期	2018-11-06
专利号	CN109234673A
专利状态	申请中
申请号	CN201811313020.9
公开（公告）号	CN109234673A
IPC 分类号	C23C14/02 \| C23C14/06 \| C23C14/08 \| C23C14/10 \| C23C14/30 \| C23C14/58 \| H01S5/10
专利代理人	范盈
代理机构	北京市诚辉律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43380
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	范杰,董家宁,李卫岩,等. 一种制备含钝化层的高损伤阈值减反膜方法. CN109234673A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109234673A.PDF（392KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文