Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法 |
| 郭志友; 徐智鸿; 孙慧卿 | |
| 专利权人 | 华南师范大学 |
| 公开日期 | 2019-01-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法，其包括边发射半导体激光器，石墨烯以及夹心热沉结构，所述石墨烯位于所述边发射半导体激光器与所述夹心热沉结构之间，所述夹心热沉具体为上下两层是Cu层，中间为SiC的夹心结构；对于其制备方法，本发明首先在Si衬底上制作激光器芯片，然后用衬底剥离技术将衬底去除使其与石墨烯接触，最后，通过夹心热沉解决大功率边发射激光器散热问题。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法，其包括边发射半导体激光器，石墨烯以及夹心热沉结构，所述石墨烯位于所述边发射半导体激光器与所述夹心热沉结构之间，所述夹心热沉具体为上下两层是Cu层，中间为SiC的夹心结构；对于其制备方法，本发明首先在Si衬底上制作激光器芯片，然后用衬底剥离技术将衬底去除使其与石墨烯接触，最后，通过夹心热沉解决大功率边发射激光器散热问题。 |
| 申请日期 | 2018-09-26 |
| 专利号 | CN109244825A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201811120357.8 |
| 公开（公告）号 | CN109244825A |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李斌 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43378 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭志友,徐智鸿,孙慧卿. 带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法. CN109244825A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN109244825A.PDF（523KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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