垂直腔面发射激光器及其制作方法

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	垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	垂直腔面发射激光器及其制作方法
	张建伟; 宁永强; 张星; 曾玉刚; 张继业; 黄佑文; 秦莉; 王立军
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-01-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括第一周期性层叠镜面结构、第二周期性层叠镜面结构、发光层和耗尽层，发光层和耗尽层位于第一周期性层叠镜面结构和第二周期性层叠镜面结构之间，发光层和耗尽层之间可传输载流子，由第二周期性层叠镜面结构形成用于出光的台；还包括位于台外侧的、形成在耗尽层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的电极层。通过向电极层施加电压，由于电极层、绝缘层和半导体材料之间形成的场效应，耗尽层的载流子会被抽运到绝缘层下方并在耗尽层形成电场，发光层散射的载流子被该电场由发光层抽运到耗尽层而消耗掉，从而减弱输出光波形的拖尾现象，而提高垂直腔面发射激光器的脉冲响应能力。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括第一周期性层叠镜面结构、第二周期性层叠镜面结构、发光层和耗尽层，发光层和耗尽层位于第一周期性层叠镜面结构和第二周期性层叠镜面结构之间，发光层和耗尽层之间可传输载流子，由第二周期性层叠镜面结构形成用于出光的台；还包括位于台外侧的、形成在耗尽层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的电极层。通过向电极层施加电压，由于电极层、绝缘层和半导体材料之间形成的场效应，耗尽层的载流子会被抽运到绝缘层下方并在耗尽层形成电场，发光层散射的载流子被该电场由发光层抽运到耗尽层而消耗掉，从而减弱输出光波形的拖尾现象，而提高垂直腔面发射激光器的脉冲响应能力。
申请日期	2018-09-28
专利号	CN109193341A
专利状态	申请中
申请号	CN201811139053.6
公开（公告）号	CN109193341A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	罗满
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43355
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张建伟,宁永强,张星,等. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN109193341A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109193341A.PDF（762KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文