一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法

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	一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法
其他题名	一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法
	梁雪瑞; 马卫东; 胡毅
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2019-01-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明实施例提供一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法。所述芯片包括硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si3N4波导，所述第二混合集成波导包括一个或多个用于单模光纤耦合的Si3N4波导。所述芯片耦合效率高和耦合容差高。
其他摘要	本发明实施例提供一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法。所述芯片包括硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si3N4波导，所述第二混合集成波导包括一个或多个用于单模光纤耦合的Si3N4波导。所述芯片耦合效率高和耦合容差高。
申请日期	2018-08-31
专利号	CN109143466A
专利状态	申请中
申请号	CN201811011493.3
公开（公告）号	CN109143466A
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/136 \| G02B6/13
专利代理人	王莹 \| 吴欢燕
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43322
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	梁雪瑞,马卫东,胡毅. 一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法. CN109143466A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109143466A.PDF（761KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文