一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法

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	一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法
其他题名	一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法
	周广正; 黄瑞; 代京京
专利权人	中证博芯(重庆)半导体有限公司
公开日期	2018-12-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种带有空气隙DBR的VCSEL结构，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本发明还提供一种前述VCSEL结构的制备方法，其空气隙DBR是通过氧化和腐蚀工艺，在出光孔处形成AlGaAs/air材料的DBR结构，且在两侧留有未被氧化和腐蚀的高Al组分AlGaAs作为支撑材料。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差。
其他摘要	本发明提供一种带有空气隙DBR的VCSEL结构，包括背面设有N面电极的导电衬底，导电衬底的表面自下而上依次生长有N型GaAs缓冲层、N型DBR和量子阱有源区，量子阱有源区表面一区域生长有氧化限制层，氧化限制层的外周同层设有铝氧化产物AlxOy圆环，氧化限制层和铝氧化产物AlxOy的表面设有平面圆形的P型DBR，在铝氧化产物AlxOy和P型DBR同层外周的量子阱有源区表面设有SiO2填充层，P型DBR的表面设有空气隙DBR，SiO2填充层的表面设有P面电极。本发明还提供一种前述VCSEL结构的制备方法，其空气隙DBR是通过氧化和腐蚀工艺，在出光孔处形成AlGaAs/air材料的DBR结构，且在两侧留有未被氧化和腐蚀的高Al组分AlGaAs作为支撑材料。本申请通过采用空气隙结构DBR，增大了DBR材料的折射率差。
申请日期	2018-10-24
专利号	CN109103745A
专利状态	申请中
申请号	CN201811245161
公开（公告）号	CN109103745A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	穆祥维
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43307
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中证博芯(重庆)半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周广正,黄瑞,代京京. 一种带有空气隙DBR的VCSEL结构及其制备方法. CN109103745A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109103745A.PDF（844KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文