激光二极管驱动器消光比控制的控制电路及其方法

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	激光二极管驱动器消光比控制的控制电路及其方法
其他题名	激光二极管驱动器消光比控制的控制电路及其方法
	陈卫洁
专利权人	武汉矽晶辰光科技有限公司
公开日期	2018-12-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路，包括一电流采样比较器单元，用于对所述光电二极管PD中的输出光电流IMPD进行取样，并且分别与参考电流IREF的峰值IREF+和谷值IREF‑进行比较，分离取样获得光电流IMPD的峰值IMPD+和谷值IMPD‑；一数字控制单元，根据所述峰值IMPD+和谷值IMPD‑之间的关系，确定激光二极管LD的消光比，并且与消光比参数的目标值进行对照，对电流IMOD进行相应的调整，实现对激光二极管LD消光比的控制；还公开了一种激光二极管驱动器消光比控制的控制方法，通过本发明能够直接接取样背光二极管PD光电流信号，实时高精度控制消光比参数，消除环境温度变化对消光比参数的影响。
其他摘要	本发明公开了一种激光二极管驱动器消光比控制的控制电路，包括一电流采样比较器单元，用于对所述光电二极管PD中的输出光电流IMPD进行取样，并且分别与参考电流IREF的峰值IREF+和谷值IREF‑进行比较，分离取样获得光电流IMPD的峰值IMPD+和谷值IMPD‑；一数字控制单元，根据所述峰值IMPD+和谷值IMPD‑之间的关系，确定激光二极管LD的消光比，并且与消光比参数的目标值进行对照，对电流IMOD进行相应的调整，实现对激光二极管LD消光比的控制；还公开了一种激光二极管驱动器消光比控制的控制方法，通过本发明能够直接接取样背光二极管PD光电流信号，实时高精度控制消光比参数，消除环境温度变化对消光比参数的影响。
申请日期	2017-06-13
专利号	CN109088306A
专利状态	申请中
申请号	CN201710443600.9
公开（公告）号	CN109088306A
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	廉红果
代理机构	深圳市合道英联专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43295
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉矽晶辰光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈卫洁. 激光二极管驱动器消光比控制的控制电路及其方法. CN109088306A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109088306A.PDF（281KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文