基于超表面的垂直腔面发射激光器及其制作方法

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	基于超表面的垂直腔面发射激光器及其制作方法
其他题名	基于超表面的垂直腔面发射激光器及其制作方法
	夏金松; 王玉西; 曾成; 袁帅
专利权人	华中科技大学
公开日期	2018-12-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于超表面结构的垂直腔面发射激光器，其包括宽带下反射镜、增益介质和基于超表面结构的窄带上反射镜；宽带反射镜反射谱、增益介质发光光谱和超表面反射镜窄带反射波长三者重叠，首先通过泵浦源对增益介质进行激励，再由宽带反射镜和基于超表面结构的窄带反射镜构成垂直谐振腔形成受激辐射光放大，进而实现垂直腔面的激光发射。本发明还公开了一种制作方法，包括：基底材料上宽带反射镜的设计与制备；增益介质的结构设计与外延生长；基于超表结构的窄带反射镜的设计和制备；最终得到基于超表面结构的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器结构简单紧凑，与现有半导体激光器的加工工艺兼容，制备工艺简单，单纵模且稳定性好。
其他摘要	本发明公开了一种基于超表面结构的垂直腔面发射激光器，其包括宽带下反射镜、增益介质和基于超表面结构的窄带上反射镜；宽带反射镜反射谱、增益介质发光光谱和超表面反射镜窄带反射波长三者重叠，首先通过泵浦源对增益介质进行激励，再由宽带反射镜和基于超表面结构的窄带反射镜构成垂直谐振腔形成受激辐射光放大，进而实现垂直腔面的激光发射。本发明还公开了一种制作方法，包括：基底材料上宽带反射镜的设计与制备；增益介质的结构设计与外延生长；基于超表结构的窄带反射镜的设计和制备；最终得到基于超表面结构的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器结构简单紧凑，与现有半导体激光器的加工工艺兼容，制备工艺简单，单纵模且稳定性好。
申请日期	2018-07-26
专利号	CN109038214A
专利状态	申请中
申请号	CN201810838038.4
公开（公告）号	CN109038214A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	李智 \| 曹葆青
代理机构	华中科技大学专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43270
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	夏金松,王玉西,曾成,等. 基于超表面的垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN109038214A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109038214A.PDF（1032KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文