一种高亮度锥形半导体激光器

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	一种高亮度锥形半导体激光器
其他题名	一种高亮度锥形半导体激光器
	范国滨; 李弋; 杜维川; 李艾; 李奇峰; 高松信; 武德勇
	2015-04-22
专利权人	中国工程物理研究院应用电子学研究所
公开日期	2015-04-22
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。
其他摘要	本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。
授权日期	2015-04-22
申请日期	2014-12-30
专利号	CN204290036U
专利状态	授权
申请号	CN201420855365.8
公开（公告）号	CN204290036U
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/065
专利代理人	卿诚 \| 吴彦峰
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43187
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国工程物理研究院应用电子学研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	范国滨,李弋,杜维川,等. 一种高亮度锥形半导体激光器. CN204290036U[P]. 2015-04-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204290036U.PDF（294KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文