Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体泵浦铥激光装置 | |
| 其他题名 | 半导体泵浦铥激光装置 |
| 王援柱 | |
| 2012-09-19 | |
| 专利权人 | 上海瑞柯恩激光技术有限公司 |
| 公开日期 | 2012-09-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 一种半导体泵浦铥激光装置，主要由设有Tm：YAG晶体的聚光腔体、全反射镜、输出镜、激光耦合器和输出光纤组成，所述Tm：YAG晶体水平置于聚光腔体的中心；Tm：YAG晶体的外侧套有导流管；该导流管外设有陶瓷聚光腔；泵浦源采用波长785nm的大功率半导体激光模块；聚光腔体内通入冷却液。当泵浦源采用3个波长为785nm的大功率半导体激光模块时，所述陶瓷聚光腔呈等边三棱柱形，3个大功率半导体激光泵浦模块置于等边三棱柱的3个边上，它们所产生的785nm激光各经过一个柱面镜聚焦到Tm：YAG晶体上，并在陶瓷腔内产生漫反射。采用半导体激光模块作泵浦源大大提高了泵浦效率，从而可以研制出大功率铥激光装置。 |
| 其他摘要 | 一种半导体泵浦铥激光装置，主要由设有Tm：YAG晶体的聚光腔体、全反射镜、输出镜、激光耦合器和输出光纤组成，所述Tm：YAG晶体水平置于聚光腔体的中心；Tm：YAG晶体的外侧套有导流管；该导流管外设有陶瓷聚光腔；泵浦源采用波长785nm的大功率半导体激光模块；聚光腔体内通入冷却液。当泵浦源采用3个波长为785nm的大功率半导体激光模块时，所述陶瓷聚光腔呈等边三棱柱形，3个大功率半导体激光泵浦模块置于等边三棱柱的3个边上，它们所产生的785nm激光各经过一个柱面镜聚焦到Tm：YAG晶体上，并在陶瓷腔内产生漫反射。采用半导体激光模块作泵浦源大大提高了泵浦效率，从而可以研制出大功率铥激光装置。 |
| 授权日期 | 2012-09-19 |
| 申请日期 | 2012-02-10 |
| 专利号 | CN202444175U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201220043412.X |
| 公开（公告）号 | CN202444175U |
| IPC 分类号 | H01S3/0941 |
| 专利代理人 | 李琳 |
| 代理机构 | 上海天协和诚知识产权代理事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43130 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海瑞柯恩激光技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王援柱. 半导体泵浦铥激光装置. CN202444175U[P]. 2012-09-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN202444175U.PDF（509KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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