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控制在光驱动器中的写功率的方法和装置
其他题名控制在光驱动器中的写功率的方法和装置
金周晔; 徐赈教
2005-09-21
专利权人东芝三星存储技术韩国株式会社
公开日期2005-09-21
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要提供一种控制写功率的方法和装置,通过优化用于驱动激光二极管的通道的数量能够控制写功率,同时快速地稳定在光驱动器的写模式中的写功率电压的电平。所述用于控制写功率的方法包括检查提供到包括在光驱动器中的激光二极管的写功率是否稳定;如果所述写功率是不稳定的,则通过增加用于控制写功率的通道的数量而第一控制所述写功率,使得能够通过充足的写功率以驱动所述激光二极管;如果所述写功率是稳定的,则通过使用少于在所述写功率是不稳定的情形中所使用的通道而第二控制所述写功率。因而,有可能通过防止使用不需要执行写模式的通道来减少固件的尺寸。
其他摘要提供一种控制写功率的方法和装置,通过优化用于驱动激光二极管的通道的数量能够控制写功率,同时快速地稳定在光驱动器的写模式中的写功率电压的电平。所述用于控制写功率的方法包括检查提供到包括在光驱动器中的激光二极管的写功率是否稳定;如果所述写功率是不稳定的,则通过增加用于控制写功率的通道的数量而第一控制所述写功率,使得能够通过充足的写功率以驱动所述激光二极管;如果所述写功率是稳定的,则通过使用少于在所述写功率是不稳定的情形中所使用的通道而第二控制所述写功率。因而,有可能通过防止使用不需要执行写模式的通道来减少固件的尺寸。
授权日期2005-09-21
申请日期2002-06-12
专利号CN1220192C
专利状态失效
申请号CN02123033.1
公开(公告)号CN1220192C
IPC 分类号G11B7/0045 | G11B7/125 | H01S5/0683 | G11B7/00
专利代理人王志森 | 黄小临
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43128
专题半导体激光器专利数据库
作者单位东芝三星存储技术韩国株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
金周晔,徐赈教. 控制在光驱动器中的写功率的方法和装置. CN1220192C[P]. 2005-09-21.
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