模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法

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	模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法
其他题名	模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法
	荒平慎
	2008-12-31
专利权人	冲电气工业株式会社
公开日期	2008-12-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法，产生波长可变区的波长宽度充分宽、而且在光通信系统中以可利用程度抑制了频率斩波的光脉冲。该模式同步半导体激光器装置具有：包含MLLD(1)的光脉冲生成部(101)、CW光源(19)、第一光学耦合单元(110)、以及第二光学耦合单元(112)。在MLLD内形成包括光增益区(3)、光调制区(2)和无源波导区(4)的光波导路径(30)。恒定电流从第一电流源(11)通过p侧电极(9)和n侧公用电极(7)注入光增益区中。由电压源(12)将反偏压通过p侧电极(8)和n侧公用电极加在光调制区(2)上。由调制电压源(13)将MLLD具有的共振器旋转频率的自然数倍的频率的调制电压加在光调制区上。
其他摘要	一种模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法，产生波长可变区的波长宽度充分宽、而且在光通信系统中以可利用程度抑制了频率斩波的光脉冲。该模式同步半导体激光器装置具有：包含MLLD(1)的光脉冲生成部(101)、CW光源(19)、第一光学耦合单元(110)、以及第二光学耦合单元(112)。在MLLD内形成包括光增益区(3)、光调制区(2)和无源波导区(4)的光波导路径(30)。恒定电流从第一电流源(11)通过p侧电极(9)和n侧公用电极(7)注入光增益区中。由电压源(12)将反偏压通过p侧电极(8)和n侧公用电极加在光调制区(2)上。由调制电压源(13)将MLLD具有的共振器旋转频率的自然数倍的频率的调制电压加在光调制区上。
授权日期	2008-12-31
申请日期	2005-07-29
专利号	CN100448123C
专利状态	失效
申请号	CN200510087908.1
公开（公告）号	CN100448123C
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/065 \| H01S5/04 \| H01S5/068 \| H01S3/098 \| H01S3/0941
专利代理人	岳耀锋
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43066
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	冲电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	荒平慎. 模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法. CN100448123C[P]. 2008-12-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100448123C.PDF（2983KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文