分布反馈注入放大半导体激光器

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	分布反馈注入放大半导体激光器
其他题名	分布反馈注入放大半导体激光器
	李润兵; 陈立; 熊宗元; 王谨; 詹明生
	2008-11-26
专利权人	中国科学院武汉物理与数学研究所
公开日期	2008-11-26
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器，电流温度控制电路与主激光器和锥形激光放大器电流温度控制接口相连，分布反馈半导体激光管固定在热电致冷封装模块后与主激光器调整座相连，主激光器准直透镜放置在准直透镜调整座上后与主激光器底座相连，格兰泰勒棱镜与旋光器相连组成光隔离器，锥形激光放大芯片、热敏电阻和锥形激光放大器输入、输出端透镜调整座与锥形激光放大器底座外壳相连后固定在热电致冷块上，主激光器的输出激光经过光隔离器后注入锥形激光放大器，放大激光经过光隔离器后通过光反馈实现激光功率稳定，光经过整形后输出高斯光束。本实用新型结构紧凑，方便调节，激光线宽窄，功率高，稳定性好，实用性强。
其他摘要	本实用新型公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器，电流温度控制电路与主激光器和锥形激光放大器电流温度控制接口相连，分布反馈半导体激光管固定在热电致冷封装模块后与主激光器调整座相连，主激光器准直透镜放置在准直透镜调整座上后与主激光器底座相连，格兰泰勒棱镜与旋光器相连组成光隔离器，锥形激光放大芯片、热敏电阻和锥形激光放大器输入、输出端透镜调整座与锥形激光放大器底座外壳相连后固定在热电致冷块上，主激光器的输出激光经过光隔离器后注入锥形激光放大器，放大激光经过光隔离器后通过光反馈实现激光功率稳定，光经过整形后输出高斯光束。本实用新型结构紧凑，方便调节，激光线宽窄，功率高，稳定性好，实用性强。
授权日期	2008-11-26
申请日期	2008-01-10
专利号	CN201156647Y
专利状态	失效
申请号	CN200820065283.8
公开（公告）号	CN201156647Y
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S5/026 \| H01S5/06
专利代理人	王敏锋
代理机构	武汉宇晨专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43058
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院武汉物理与数学研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李润兵,陈立,熊宗元,等. 分布反馈注入放大半导体激光器. CN201156647Y[P]. 2008-11-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201156647Y.PDF（1041KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文