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一种大功率双波长半导体矩形激光发生装置
其他题名一种大功率双波长半导体矩形激光发生装置
王旭葆; 陈中强
2012-09-12
专利权人宁海县盛源激光科技有限公司
公开日期2012-09-12
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供了一种大功率双波长半导体矩形激光发生装置,包括A堆栈(1)、A整形透镜(11)、B堆栈(2)、B整形透镜(21)、耦合镜(3)、整形透镜(4)、反射聚焦镜(5)、进风口(6)、光闸(7)、屏蔽箱(8)。本实用新型采用耦合镜将二束激光叠加以提高激光的输出功率;屏蔽箱将装置内部与外部环境隔离,进风口输入正压空气以阻止外部的尘垢侵入并对箱内诸器件进行风冷;光闸的光阑作用阻隔外部漫射光热逆向回传;反射聚焦镜将沿光路逆向回传的光热吸收并加以冷却的技术方案,通过耦合叠加、封闭隔离、光阑阻逆、反射吸热、正压风冷使半导体激光发生器达到了提高输出功率、阻隔尘垢侵害、避免回传和自身光热损伤的目的。
其他摘要本实用新型提供了一种大功率双波长半导体矩形激光发生装置,包括A堆栈(1)、A整形透镜(11)、B堆栈(2)、B整形透镜(21)、耦合镜(3)、整形透镜(4)、反射聚焦镜(5)、进风口(6)、光闸(7)、屏蔽箱(8)。本实用新型采用耦合镜将二束激光叠加以提高激光的输出功率;屏蔽箱将装置内部与外部环境隔离,进风口输入正压空气以阻止外部的尘垢侵入并对箱内诸器件进行风冷;光闸的光阑作用阻隔外部漫射光热逆向回传;反射聚焦镜将沿光路逆向回传的光热吸收并加以冷却的技术方案,通过耦合叠加、封闭隔离、光阑阻逆、反射吸热、正压风冷使半导体激光发生器达到了提高输出功率、阻隔尘垢侵害、避免回传和自身光热损伤的目的。
授权日期2012-09-12
申请日期2012-01-10
专利号CN202434886U
专利状态失效
申请号CN201220024201
公开(公告)号CN202434886U
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/10
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42980
专题半导体激光器专利数据库
作者单位宁海县盛源激光科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
王旭葆,陈中强. 一种大功率双波长半导体矩形激光发生装置. CN202434886U[P]. 2012-09-12.
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