一种半导体泵浦激光器

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	一种半导体泵浦激光器
其他题名	一种半导体泵浦激光器
	吴砺; 卢秀爱
	2011-12-28
专利权人	福州高意通讯有限公司
公开日期	2011-12-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种半导体泵浦激光器，其包括半导体激光泵浦源、光学耦合系统和激光腔，激光腔包括前后腔片、激光增益介质、以及除激光增益介质以外的光学元件，其中激光增益介质由二片或二片以上掺杂离子浓度不同或吸收系数不同的激光增益介质组成，不同的激光增益介质顺泵浦光入射方向按掺杂离子浓度或吸收系数由小到大排列，利用掺杂离子浓度低的激光增益介质吸收部分泵浦光，泵浦光另一部分透过低掺杂的激光增益介质被掺杂离子浓度较高的激光增益介质泵浦吸收，减少掺杂离子浓度高的激光增益介质的热透镜效应，同时可以增强泵浦光的吸收，从而获得适于较宽泵浦波长范围、宽温度工作工作的半导体泵浦的激光器。
其他摘要	本发明公开了一种半导体泵浦激光器，其包括半导体激光泵浦源、光学耦合系统和激光腔，激光腔包括前后腔片、激光增益介质、以及除激光增益介质以外的光学元件，其中激光增益介质由二片或二片以上掺杂离子浓度不同或吸收系数不同的激光增益介质组成，不同的激光增益介质顺泵浦光入射方向按掺杂离子浓度或吸收系数由小到大排列，利用掺杂离子浓度低的激光增益介质吸收部分泵浦光，泵浦光另一部分透过低掺杂的激光增益介质被掺杂离子浓度较高的激光增益介质泵浦吸收，减少掺杂离子浓度高的激光增益介质的热透镜效应，同时可以增强泵浦光的吸收，从而获得适于较宽泵浦波长范围、宽温度工作工作的半导体泵浦的激光器。
授权日期	2011-12-28
申请日期	2008-03-19
专利号	CN101247019B
专利状态	失效
申请号	CN200810070774.6
公开（公告）号	CN101247019B
IPC 分类号	H01S3/06 \| H01S3/16 \| H01S3/0941 \| H01S3/08
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42957
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福州高意通讯有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	吴砺,卢秀爱. 一种半导体泵浦激光器. CN101247019B[P]. 2011-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101247019B.PDF（306KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文