一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法

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	一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法
其他题名	一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法
	刘青; 沈燕; 张木青; 刘欢; 徐现刚
	2017-05-10
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2017-05-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法，该欧姆接触电极包括接触金属层组、保护金属层和绝缘层，接触金属层组、保护金属层和绝缘层自下至上依次设置，接触金属层组和绝缘层上覆盖有焊接金属层组；其制备方法是在半导体激光器芯片上依次蒸镀接触金属层组和保护金属层，气相沉积绝缘层，再蒸镀焊接金属层组。本发明可消除金属层间的缺陷孔洞，增加金属间的黏附力，提高器件的欧姆接触、抗热疲劳和散热性能，具有粘附性好、金属层间应力小、金属系抗热疲劳、耐冲击能力强的特点，可有效提高金属电极的导电和导热性能，从而提高了半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。
其他摘要	一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法，该欧姆接触电极包括接触金属层组、保护金属层和绝缘层，接触金属层组、保护金属层和绝缘层自下至上依次设置，接触金属层组和绝缘层上覆盖有焊接金属层组；其制备方法是在半导体激光器芯片上依次蒸镀接触金属层组和保护金属层，气相沉积绝缘层，再蒸镀焊接金属层组。本发明可消除金属层间的缺陷孔洞，增加金属间的黏附力，提高器件的欧姆接触、抗热疲劳和散热性能，具有粘附性好、金属层间应力小、金属系抗热疲劳、耐冲击能力强的特点，可有效提高金属电极的导电和导热性能，从而提高了半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。
授权日期	2017-05-10
申请日期	2014-10-29
专利号	CN104319621B
专利状态	授权
申请号	CN201410594613
公开（公告）号	CN104319621B
IPC 分类号	H01S5/042 \| C23C28/00
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42916
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘青,沈燕,张木青,等. 一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法. CN104319621B[P]. 2017-05-10.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104319621B.PDF（170KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文