Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制造方法 |
| 渡边昌规 | |
| 2005-11-02 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2005-11-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法，该半导体激光器件具有电流注入区(A)和比电流注入区(A)更靠近各激光束发射端面的电流非注入区(B)。半导体激光器件具有形成在每个电流非注入区(B)中p型(AlpGa1-p)qIn1-qP(0≤p≤1，0≤q≤1)中间带隙层(106)表面上的氧化层(106A)、形成在电流注入区(A)中中间带隙层(106)上的p型GaAs顶部覆盖层(107)、以及形成在氧化层(106A)和p型GaAs顶部覆盖层(107)上的p型GaAs接触层(125)。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法，该半导体激光器件具有电流注入区(A)和比电流注入区(A)更靠近各激光束发射端面的电流非注入区(B)。半导体激光器件具有形成在每个电流非注入区(B)中p型(AlpGa1-p)qIn1-qP(0≤p≤1，0≤q≤1)中间带隙层(106)表面上的氧化层(106A)、形成在电流注入区(A)中中间带隙层(106)上的p型GaAs顶部覆盖层(107)、以及形成在氧化层(106A)和p型GaAs顶部覆盖层(107)上的p型GaAs接触层(125)。 |
| 授权日期 | 2005-11-02 |
| 申请日期 | 2003-08-29 |
| 专利号 | CN1225825C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN03164975.0 |
| 公开（公告）号 | CN1225825C |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | H01S5/028 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42913 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边昌规. 半导体激光器件及其制造方法. CN1225825C[P]. 2005-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1225825C.PDF（1521KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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