回音壁模微腔激光二极管的制备方法

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	回音壁模微腔激光二极管的制备方法
其他题名	回音壁模微腔激光二极管的制备方法
	徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 林毅; 石增良; 理记涛
	2013-05-01
专利权人	东南大学
公开日期	2013-05-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	回音壁模微腔激光二极管的制备方法，首先在P型氮化镓薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜（如聚乙烯基咔唑PVK、聚芴PF、聚对苯乙烯撑PPV、聚-3烷基噻吩P3HT及其衍生物等P型聚合物半导体），然后将单根氧化锌微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的片子上旋涂一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚二甲基硅氧烷PDMS,二氧化硅SiO2,三氧化二铝Al2O3等有机或者无机透明绝缘材料），通过反应离子刻蚀或者光刻工艺把ZnO微米棒表面暴露，接着在ZnO微米棒表面制备透明电极（如：氧化铟锡ITO、氧化锌铝ZAO等），最后在p型GaN表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。
其他摘要	回音壁模微腔激光二极管的制备方法，首先在P型氮化镓薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜（如聚乙烯基咔唑PVK、聚芴PF、聚对苯乙烯撑PPV、聚-3烷基噻吩P3HT及其衍生物等P型聚合物半导体），然后将单根氧化锌微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的片子上旋涂一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚二甲基硅氧烷PDMS,二氧化硅SiO2,三氧化二铝Al2O3等有机或者无机透明绝缘材料），通过反应离子刻蚀或者光刻工艺把ZnO微米棒表面暴露，接着在ZnO微米棒表面制备透明电极（如：氧化铟锡ITO、氧化锌铝ZAO等），最后在p型GaN表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。
授权日期	2013-05-01
申请日期	2012-01-17
专利号	CN102545046B
专利状态	授权
申请号	CN201210014092.X
公开（公告）号	CN102545046B
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S5/042
专利代理人	柏尚春
代理机构	南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42879
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	东南大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 回音壁模微腔激光二极管的制备方法. CN102545046B[P]. 2013-05-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102545046B.PDF（621KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文