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具有改进的窗口结构的半导体激光二极管
其他题名具有改进的窗口结构的半导体激光二极管
马修·格伦·彼得斯; 维克托·罗辛; 埃里克·保罗·朱克
2011-12-28
专利权人朗美通运营有限责任公司
公开日期2011-12-28
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及一种具有增加的灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值限制的半导体激光二极管结构,特征在于二极管输出端面处的三个区域,有时称为窗口。这些包括光透明区域、电流阻挡区域和部分电流阻挡区域。
其他摘要本发明涉及一种具有增加的灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值限制的半导体激光二极管结构,特征在于二极管输出端面处的三个区域,有时称为窗口。这些包括光透明区域、电流阻挡区域和部分电流阻挡区域。
授权日期2011-12-28
申请日期2007-09-20
专利号CN101150245B
专利状态授权
申请号CN200710151914
公开(公告)号CN101150245B
IPC 分类号H01S5/16 | H01S5/20 | H01S5/30
专利代理人郑小粤
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42869
专题半导体激光器专利数据库
作者单位朗美通运营有限责任公司
推荐引用方式
GB/T 7714
马修·格伦·彼得斯,维克托·罗辛,埃里克·保罗·朱克. 具有改进的窗口结构的半导体激光二极管. CN101150245B[P]. 2011-12-28.
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