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一种氮化镓基激光二极管
其他题名一种氮化镓基激光二极管
童小春
2015-07-15
专利权人溧阳市高新技术创业中心
公开日期2015-07-15
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在氮化镓衬底的上表面上;镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
其他摘要本发明公开了一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在氮化镓衬底的上表面上;镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
授权日期2015-07-15
申请日期2013-02-28
专利号CN103166109B
专利状态授权
申请号CN201310064059.2
公开(公告)号CN103166109B
IPC 分类号H01S5/327
专利代理人黄明哲
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42814
专题半导体激光器专利数据库
作者单位溧阳市高新技术创业中心
推荐引用方式
GB/T 7714
童小春. 一种氮化镓基激光二极管. CN103166109B[P]. 2015-07-15.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN103166109B.PDF(280KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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