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Tunable optical phase filter
其他题名Tunable optical phase filter
PADULLAPARTHI, BABU DAYAL
2017-07-25
专利权人CLOUD LIGHT TECHNOLOGY LIMITED
公开日期2017-07-25
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要An embodiment provides a 850 nm VCSEL transmitter that includes an active region having: one or more quantum wells having InGaAs material; and two or more quantum well barriers having AlGaAs or GaAsP materials adjacent to the one or more quantum wells. An in-phase or anti-phase, step or ring surface relief structure depth control is made on either (i) the topmost GaAs surface/contact layers by either dry or wet etching, or (ii) with the help of PECVD made thin SiN layer made on GaAs layer with wet etching for tunable static and dynamic characteristics such as output power, slope efficiency, and resonance oscillation bandwidth, photon lifetime through its damping, rise/fall times of eye-opening, over shooting, and jitter respectively. Moreover, anti-phase surface relief structure diameter control can be made on the topmost GaAs step surface/contact, or SiN ring layers for filtering of higher order modes and reduction of spectral line width.
其他摘要一个实施例提供了一种850nm VCSEL发射器,其包括有源区,该有源区具有:一个或多个具有InGaAs材料的量子阱;和两个或多个量子阱势垒,其具有与一个或多个量子阱相邻的AlGaAs或GaAsP材料。通过干法或湿法蚀刻在(i)最顶部GaAs表面/接触层上进行同相或反相,台阶或环表面浮雕结构深度控制,或(ii)借助PECVD制成薄SiN采用湿蚀刻在GaAs层上制作的层,用于可调谐的静态和动态特性,例如输出功率,斜率效率和谐振振荡带宽,通过其阻尼的光子寿命,睁眼/上翘时间,过度拍摄和抖动。此外,可以在最上面的GaAs台阶表面/接触或SiN环层上进行反相表面起伏结构直径控制,以过滤高阶模式和减小谱线宽度。
授权日期2017-07-25
申请日期2015-12-02
专利号US9716368
专利状态授权
申请号US14/956888
公开(公告)号US9716368
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/183 | H01S5/343
专利代理人-
代理机构NIXON & VANDERHYE P.C.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42810
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CLOUD LIGHT TECHNOLOGY LIMITED
推荐引用方式
GB/T 7714
PADULLAPARTHI, BABU DAYAL. Tunable optical phase filter. US9716368[P]. 2017-07-25.
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