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工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置
其他题名工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置
朱祖华
1992-06-10
专利权人浙江大学
公开日期1992-06-10
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要连续波电光检测技术测量半导体激光器场分布的方法及装置:方法特征是探测激光垂直解理面透射处于工作状态的被测半导体激光器,其本身发出的激光经分离和/或滤去;装置特征是半导体激光器与检偏器间增设显微镜系统、分光和/或滤光装置,给半导体激光器设置可调偏置电流源。该装置可直接测量半导体激光器的场分布,确定其载流子限制、电流扩展特性,为设计和制作提供依据和监控。优点是非破坏无干扰,分辨率和灵敏度高。
其他摘要连续波电光检测技术测量半导体激光器场分布的方法及装置:方法特征是探测激光垂直解理面透射处于工作状态的被测半导体激光器,其本身发出的激光经分离和/或滤去;装置特征是半导体激光器与检偏器间增设显微镜系统、分光和/或滤光装置,给半导体激光器设置可调偏置电流源。该装置可直接测量半导体激光器的场分布,确定其载流子限制、电流扩展特性,为设计和制作提供依据和监控。优点是非破坏无干扰,分辨率和灵敏度高。
授权日期1992-06-10
申请日期1991-02-26
专利号CN1016998B
专利状态失效
申请号CN91101294.X
公开(公告)号CN1016998B
IPC 分类号G01J1/00 | G01R29/14
专利代理人崔勇才
代理机构浙江大学专利代理事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42775
专题半导体激光器专利数据库
作者单位浙江大学
推荐引用方式
GB/T 7714
朱祖华. 工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置. CN1016998B[P]. 1992-06-10.
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