Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector

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	Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector
其他题名	Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector
	HORNG, RAY-HUA; WU, DONG-SING; PENG, WEI-CHIH; HO, WEN-JENG; HUANG, YING-SHUN
	2003-12-02
专利权人	TELECOMMUNICATION LABORATORIES, CHUNGHWA TELECOM CO., LTD.
公开日期	2003-12-02
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention is related to a method for fabricating a surface-emitting laser diode with a metal reflector. It is mainly the use of a combination of a metal reflector and wafer bonding technology to replace the traditional epiwafer process or high-temperature high-pressure wafer bonding technology in fabricating VCSEL Bragg Reflector. The metal reflector has high reflectance with its material selected to form ohmic contact with VCSEL material. Besides, the substrate for the metal reflector can be selected for cheap price and good heat dissipation. Further advantages include simple process, low production cost and good VCSEL characteristic etc.
其他摘要	本发明涉及一种制造具有金属反射器的表面发射激光二极管的方法。主要是使用金属反射器和晶圆键合技术的组合来代替传统的外延晶片工艺或高温高压晶圆键合技术来制造VCSEL布拉格反射器。金属反射器具有高反射率，其材料经选择以与VCSEL材料形成欧姆接触。此外，可以选择金属反射器的基板，价格便宜，散热性好。进一步的优点包括工艺简单，生产成本低和VCSEL特性好等。
授权日期	2003-12-02
申请日期	2001-08-24
专利号	US6656756
专利状态	失效
申请号	US09/935646
公开（公告）号	US6656756
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	ROSENBERG,KLEIN & LEE
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42540
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TELECOMMUNICATION LABORATORIES, CHUNGHWA TELECOM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	HORNG, RAY-HUA,WU, DONG-SING,PENG, WEI-CHIH,et al. Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector. US6656756[P]. 2003-12-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6656756.PDF（70KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文