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一种深层半埋藏金属裂纹修复方法
其他题名一种深层半埋藏金属裂纹修复方法
邓德伟; 于涛; 孙奇; 郝胜智; 张洪潮
2017-04-12
专利权人大连理工大学
公开日期2017-04-12
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种深层半埋藏金属裂纹修复方法,包括以下步骤:将裂纹损伤零部件用设备夹具固定,调节并固定电容器组电容值,通过控制充电器,在裂纹尖端处形成密度值极高的电流场,促使裂纹两侧面发生贴合并形成愈合区,从而实现裂纹愈合作用。若裂纹尖端距上表面距离已至2mm,停止脉冲放电处理,利用半导体激光器对裂纹损伤零部件上表面进行激光重熔处理和激光熔覆处理。利用平面磨床对熔覆过的上表面做磨削处理,以恢复零部件原有尺寸特征。本发明先用脉冲电流冲击装置处理深层裂纹,处理结束后深层裂纹转化为表层裂纹,再用激光器处理表层裂纹,从而实现了完全修复深层裂纹的目的。本发明可以广泛用于金属材料修复领域。
其他摘要本发明公开了一种深层半埋藏金属裂纹修复方法,包括以下步骤:将裂纹损伤零部件用设备夹具固定,调节并固定电容器组电容值,通过控制充电器,在裂纹尖端处形成密度值极高的电流场,促使裂纹两侧面发生贴合并形成愈合区,从而实现裂纹愈合作用。若裂纹尖端距上表面距离已至2mm,停止脉冲放电处理,利用半导体激光器对裂纹损伤零部件上表面进行激光重熔处理和激光熔覆处理。利用平面磨床对熔覆过的上表面做磨削处理,以恢复零部件原有尺寸特征。本发明先用脉冲电流冲击装置处理深层裂纹,处理结束后深层裂纹转化为表层裂纹,再用激光器处理表层裂纹,从而实现了完全修复深层裂纹的目的。本发明可以广泛用于金属材料修复领域。
授权日期2017-04-12
申请日期2015-01-21
专利号CN104561998B
专利状态授权
申请号CN201510031024.8
公开(公告)号CN104561998B
IPC 分类号C23C24/10
专利代理人李洪福
代理机构大连东方专利代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42448
专题半导体激光器专利数据库
作者单位大连理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
邓德伟,于涛,孙奇,等. 一种深层半埋藏金属裂纹修复方法. CN104561998B[P]. 2017-04-12.
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CN104561998B.PDF(132KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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