叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器

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	叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器
其他题名	叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器
	刘兴胜; 李小宁; 梁雪杰; 穆建飞; 李龙; 王警卫; 刘亚龙
	2015-05-20
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2015-05-20
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提出了一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器，尤其是一种宏通道液体制冷的叠层阵列半导体激光器。该叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器包括自下而上依次设置的下通水块，绝缘片a，正电极片，半导体激光器模块，负电极片，绝缘片b，上通水块；半导体激光器模块为多个半导体激光器单元堆叠而成，半导体激光器单元采用了片状结构的液体制冷片，其上设有通水区和芯片安装区。本实用新型的叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器采用了宏通道的制冷结构，制冷通道为多组通孔，结构简单，与微通道制冷结构相比，对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低，提高了半导体激光器的可靠性。
其他摘要	本实用新型提出了一种叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器，尤其是一种宏通道液体制冷的叠层阵列半导体激光器。该叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器包括自下而上依次设置的下通水块，绝缘片a，正电极片，半导体激光器模块，负电极片，绝缘片b，上通水块；半导体激光器模块为多个半导体激光器单元堆叠而成，半导体激光器单元采用了片状结构的液体制冷片，其上设有通水区和芯片安装区。本实用新型的叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器采用了宏通道的制冷结构，制冷通道为多组通孔，结构简单，与微通道制冷结构相比，对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低，提高了半导体激光器的可靠性。
授权日期	2015-05-20
申请日期	2014-12-31
专利号	CN204349207U
专利状态	授权
申请号	CN201420862477.6
公开（公告）号	CN204349207U
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/40
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42413
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴胜,李小宁,梁雪杰,等. 叠层阵列液体制冷型高功率半导体激光器. CN204349207U[P]. 2015-05-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204349207U.PDF（790KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文