Process for producing a matrix of "all optical" vertically-structured quantum well components

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	Process for producing a matrix of "all optical" vertically-structured quantum well components
其他题名	Process for producing a matrix of "all optical" vertically-structured quantum well components
	NISSIM, YVES; BENSOUSSAN, MARCEL; OUDAR, JEAN-LOUIS; RAO, ELCHURI
	1998-02-03
专利权人	FRANCE TELECOM
公开日期	1998-02-03
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	This invention relates to a process for producing a matrix of "all optical" vertically-structured quantum well components. This process consists in the encapsulation of a half-structure constituted by a lower mirror (2) and an active zone (3) partially covered by a self-alignment mask (4) with a negative dielectric layer (7) whose thickness is given by the Bragg condition at the working wavelength. The encapsulated half-structure is thermally treated to induce an alloy interdiffusion (9) in the non-covered parts of the active zone, and covered with one or several negative and positive layers (10,11) so as to complete the upper Bragg mirror.
其他摘要	本发明涉及制备“全光学”垂直结构量子阱组分基质的方法。该过程包括由下部镜子（2）和由自对准掩模（4）部分覆盖的有源区域（3）构成的半结构的封装，其中负性介电层（7）的厚度由下式给出：工作波长下的布拉格条件。对封装的半结构进行热处理，以在有源区的未覆盖部分中诱导合金相互扩散（9），并覆盖一个或多个负极层和正极层（10,11），以完成上部布拉格反射镜。
授权日期	1998-02-03
申请日期	1995-06-22
专利号	US5714403
专利状态	失效
申请号	US08/492951
公开（公告）号	US5714403
IPC 分类号	G02F3/02 \| G02F3/00 \| G02F1/017 \| G02F1/01 \| G02F1/21 \| G02F1/35 \| H01S3/10 \| H01S5/00 \| H01L21/20
专利代理人	-
代理机构	BLAKELY SOKOLOFF TAYLOR & ZAFMAN
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42369
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FRANCE TELECOM
推荐引用方式 GB/T 7714	NISSIM, YVES,BENSOUSSAN, MARCEL,OUDAR, JEAN-LOUIS,et al. Process for producing a matrix of "all optical" vertically-structured quantum well components. US5714403[P]. 1998-02-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5714403.PDF（239KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文