半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置

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	半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置
其他题名	半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置
	蛭川秀一; 河西秀典; 山本圭
	2009-04-17
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2009-07-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】高出力駆動状態において信頼性が高く長寿命な半導体レーザ装置およびそれを用いた光ディスク装置を提供する。【解決手段】発振波長が760nmより大きく800nmより小さい半導体レーザ装置であって、n型のGaAs基板101上に、n型の第1,第2下クラッド層103,104、下ガイド層105、GaAs下界面保護層106、InGaAsP多重歪量子井戸活性層107、GaAs上界面保護層108、上ガイド層109、p型の上クラッド層110を順次積層する。上記量子井戸活性層107と上ガイド層109との間および量子井戸活性層107と下ガイド層105との間の界面が急峻になるとともに、結晶のエピタキシー成長が良好になる。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种在高输出驱动状态下具有高可靠性和长寿命的半导体激光器，并提供一种采用它的光盘驱动器。 ŽSOLUTION：在振荡波长为760-800mm的半导体激光器中，n型第一和第二下包层103和104，下引导层105，GaAs下界面保护层106，InGaAsP应变多量子阱活性层107，GaAs上界面保护层108，上引导层109和p型上包层110顺序形成在n型GaAs衬底101上。界面在量子阱有源层107和之间变得陡峭。上引导层109和量子阱有源层107与下引导层105之间的外延生长得到改善。 Ž
授权日期	2009-04-17
申请日期	2003-03-26
专利号	JP4296017B2
专利状态	失效
申请号	JP2003085112
公开（公告）号	JP4296017B2
IPC 分类号	H01S5/343 \| G11B7/125 \| H01L21/205 \| G11B7/00 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/34
专利代理人	青山葆 \| 山崎宏
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42259
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	蛭川秀一,河西秀典,山本圭. 半導体レーザ装置およびその製造方法および光ディスク装置. JP4296017B2[P]. 2009-04-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4296017B2.PDF（109KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文