Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 導波路型半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 導波路型半導体光集積素子およびその製造方法 |
| 山崎 裕幸 | |
| 2001-12-28 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 2002-03-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 導波路型半導体光素子において導波路での吸収損失を小さくし特性を向上させる。また同素子を用いて光モジュールおよび光通信システムを低コストに実現する。 【解決手段】 発光部と受動光導波路部を含む導波路型半導体光集積素子において、前記発光部の活性層の膜厚が一定であり、この活性層幅が5μm以下であり、前記受動光導波路部のコア層の膜厚が光の伝搬する方向に沿って薄くなるようにテーパ状に変調されており、このコア層の幅が活性層幅よりも広く、この発光部の活性層と受動光導波路部のコア層は一括して選択成長により形成されたものであることを特徴とする導波路型半導体光集積素子。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过减少波导型半导体光学元件中的波导中的吸收损耗来改善特性，并且通过使用该元件以低成本实现光学模块和光学通信系统。解决方案：在包含发光部分和无源光波导部分的波导型半导体光学集成元件中，发光部分的有源层1的膜厚度是恒定的，并且有源层的宽度至多为5μm。无源光波导部分的芯层的膜厚度被调制成锥形2，以便沿光传播方向变薄。芯层的宽度大于有源层的宽度，并且通过选择性生长共同形成发光部分的有源层1和无源光波导部分的芯层。 |
| 授权日期 | 2001-12-28 |
| 申请日期 | 1998-01-19 |
| 专利号 | JP3264321B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998007650 |
| 公开（公告）号 | JP3264321B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/34 | G02B | H01L | H01S | G02F1/025 | H01S5/323 | H01S5/343 | G02B6/122 | H01L27/15 | G02F | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 金田 暢之 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42257 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 裕幸. 導波路型半導体光集積素子およびその製造方法. JP3264321B2[P]. 2001-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3264321B2.PDF（77KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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