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TEM mode quantum wire or well structure
其他题名TEM mode quantum wire or well structure
DUTTA, MITRA; STROSCIO, MICHAEL A.; SIRENKO, YURI M.; KIM, KI WOOK
1997-08-26
专利权人ARMY, UNITED STATES OF AMERICA AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE
公开日期1997-08-26
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A semiconductor lasing device is formed by disposing a quantum well or quantum wire array between positive and negative ohmic contacts such that different potentials are applied along the array to establish a transverse electromagnetic (TEM) mode of the optic signal (i.e. where the field components lie in a plane perpendicular to the direction of propagation). Thus, the light confinement l will be on the order of the electron confinement a. By applying different potentials via the positive and negative ohmic contacts to multiply connected waveguides, the established TEM mode does not have a cut-off frequency, and therefore, the gain of device can be greatly enhanced while still providing increased anisotropy and a low threshold current.
其他摘要通过在正和负欧姆接触之间设置量子阱或量子线阵列来形成半导体激光器件,使得沿阵列施加不同的电势以建立光信号的横向电磁(TEM)模式(即,场分量所在的位置)在垂直于传播方向的平面内)。因此,光限制l将是电子限制a的量级。通过正和负欧姆接触将不同的电位施加到多个连接的波导,建立的TEM模式没有截止频率,因此,器件的增益可以大大增强,同时仍然提供增加的各向异性和低阈值电流。
授权日期1997-08-26
申请日期1996-04-16
专利号US5661740
专利状态失效
申请号US08/636995
公开(公告)号US5661740
IPC 分类号H01S5/34 | H01S5/042 | H01S5/06 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S5/062 | H01S3/19 | H01L29/06
专利代理人-
代理机构ZELENKA, MICHAEL ANDERSON, WILLIAM H.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42215
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ARMY, UNITED STATES OF AMERICA AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE
推荐引用方式
GB/T 7714
DUTTA, MITRA,STROSCIO, MICHAEL A.,SIRENKO, YURI M.,et al. TEM mode quantum wire or well structure. US5661740[P]. 1997-08-26.
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