Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes

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	Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes
其他题名	Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes
	BRICK, PETER; LUFT, JOHANN; MULLER, MARTIN; PHILIPPENS, MARC
	2010-01-12
专利权人	OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
公开日期	2010-01-12
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An edge emitting semiconductor laser containing a plurality of monolithically integrated laser diodes (1, 2, 3). Each laser diode (1, 2, 3) contains an active zone (11, 12, 13), with the active zones (11, 12, 13) being in each case arranged between waveguide layers (6), the waveguide layers (6) in each case adjoining a cladding layer (7, 8) at a side remote from the active zone (11, 12, 13). The cladding layers (7, 8) comprise inner cladding layers (7), which are arranged above a bottommost active zone (11) and below a topmost active zone (13), and outer cladding layers (8) which are arranged below the bottommost active zone (11) or above the topmost active zone (13). The inner cladding layers (7) have a smaller thickness than the outer cladding layers (8).
其他摘要	一种边发射半导体激光器，包括多个单片集成的激光二极管（1,2,3）。每个激光二极管（1,2,3）包含有源区（11,12,13），有源区（11,12,13）分别布置在波导层（6），波导层（6）之间。在每种情况下，在远离有源区（11,12,13）的一侧邻接包层（7,8）。包层（7,8）包括内包层（7）和内包层（8），内包层（7）布置在最下面的有源区（11）上方和最上面的有源区（13）下方，外包层（8）布置在最下面的下方活动区（11）或最顶部活动区（13）之上。内包层（7）的厚度小于外包层（8）的厚度。
授权日期	2010-01-12
申请日期	2007-09-25
专利号	US7646799
专利状态	授权
申请号	US11/904060
公开（公告）号	US7646799
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	COHEN PONTANI LIEBERMAN & PAVANE LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42201
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
推荐引用方式 GB/T 7714	BRICK, PETER,LUFT, JOHANN,MULLER, MARTIN,et al. Edge emitting semiconductor laser comprising a plurality of monolithically integrated laser diodes. US7646799[P]. 2010-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7646799.PDF（547KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文