Method of fabricating semiconductor lasers

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	Method of fabricating semiconductor lasers
其他题名	Method of fabricating semiconductor lasers
	SAKIYAMA, HAJIME; TANAKA, HARUO; MUSHIAGE, MASATO
	1992-10-06
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	1992-10-06
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The invention is directed to a semiconductor laser wherein the first embodiment is characterized in that the first upper portion cladding layer is assumed to be a double layer construction, the upper layer portion is assumed to be higher in carrier concentration than the lower layer portion, the series resistance component is restrained, so that the sequential direction voltage VF may be lowered without damaging the other characteristics such as oscillation start current I th and so on.
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器，其中第一实施例的特征在于，假设第一上部包层是双层结构，假设上层部分的载流子浓度高于下层部分，串联电阻分量受到限制，从而可以降低顺序方向电压VF而不损害诸如振荡开始电流I th等的其他特性。
授权日期	1992-10-06
申请日期	1990-10-30
专利号	US5153148
专利状态	失效
申请号	US07/605095
公开（公告）号	US5153148
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01L21/203 \| H01L21/225
专利代理人	-
代理机构	WENDEROTH,LIND & PONACK
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42102
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKIYAMA, HAJIME,TANAKA, HARUO,MUSHIAGE, MASATO. Method of fabricating semiconductor lasers. US5153148[P]. 1992-10-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5153148.PDF（134KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文