半導体レーザからなる製品の製造方法

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	半導体レーザからなる製品の製造方法
其他题名	半導体レーザからなる製品の製造方法
	サン-ニージョージチュウ; ラルフアンドレローガン; トーイータンブン-エク
	1995-11-29
专利权人	AMERICAN TELEPH & TELEGR CO
公开日期	1995-11-29
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE: To prevent corrosion of a grating by depositing a small quantity of a material containing Ga, As and P at an intermediate temperature, then depositing somewhat large quantity of material containing In, Ga, As and P, and depositing an epitaxial semiconductor material. CONSTITUTION: Manufacturing includes a step of heating a substrate 11 in an atmosphere containing As and P, and a step of evaporating a small quantity of a protective material 121 containing As, Ga and P at an intermediate temperature. Then, the atmosphere contains H2 , AsH3 and PH3 . A small quantity of GaAsP is evaporated at 500 deg.C, and subsequently, somewhat large quantity of InGaAsP is evaporated. Upon completion of the evaporation of the protective material 121, the substrate 11 is heated in the H2 -AsH3 -PH3 atmosphere, and an epitaxial upper layer material is evaporated. Thus, corrosion of a grating 12 on the substrate during heating of the substrate 11 to an evaporation temperature for the upper epitaxial quaternary material 130 may be prevented.
其他摘要	用途：通过在中间温度下沉积少量含有Ga，As和P的材料来防止光栅腐蚀，然后沉积一定量的含有In，Ga，As和P的材料，并沉积外延半导体材料。组成：制造包括在含有As和P的气氛中加热基板11的步骤，以及在中间温度下蒸发少量含有As，Ga和P的保护材料121的步骤。然后，气氛含有H2，AsH3和PH3。在500℃蒸发少量GaAsP，随后蒸发一定量的InGaAsP。在完成保护材料121的蒸发后，在H2-AsH3-PH3气氛中加热基板11，并蒸发外延上层材料。因此，可以防止在将衬底11加热到上外延四元材料130的蒸发温度期间衬底上的光栅12的腐蚀。
授权日期	1995-11-29
申请日期	1991-06-12
专利号	JP1995112097B2
专利状态	失效
申请号	JP1991166118
公开（公告）号	JP1995112097B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01L33/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	三俣弘文
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42100
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AMERICAN TELEPH & TELEGR CO
推荐引用方式 GB/T 7714	サン-ニージョージチュウ,ラルフアンドレローガン,トーイータンブン-エク. 半導体レーザからなる製品の製造方法. JP1995112097B2[P]. 1995-11-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995112097B2.PDF（21KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文