Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| A semiconductor laser device | |
| 其他题名 | A semiconductor laser device |
| MAEI, SHIGEKI; YAMAMOTO, SABURO; HAYASHI, HIROSHI | |
| 1992-04-01 | |
| 专利权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 公开日期 | 1992-04-01 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device comprising a high-order-mode absorption region (L2) between the oscillation region (L3) including a concaved portion of the active layer and each of the window regions (L1, L1) including a plane portion of the active layer, said high-order-mode absorption region (L2) having an optical waveguide the width of which is smaller than that of the optical waveguide in said window region (L1, L1). |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器件，包括在包括有源层的凹入部分的振荡区域（L3）和包括有源层的平面部分的每个窗口区域（L1，L1）之间的高阶模式吸收区域（L2）所述高阶模吸收区（L2）具有光波导，所述光波导的宽度小于所述窗区（L1，L1）中的光波导的宽度。 |
| 授权日期 | 1992-04-01 |
| 申请日期 | 1986-01-20 |
| 专利号 | EP0189296B1 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1986300345 |
| 公开（公告）号 | EP0189296B1 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/16 | H01S5/24 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | BILLINGTON, LAWRENCE EMLYN |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42010 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MAEI, SHIGEKI,YAMAMOTO, SABURO,HAYASHI, HIROSHI. A semiconductor laser device. EP0189296B1[P]. 1992-04-01. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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